Анализ поверхности термоэмиттеров ионными и электронными пучками

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Исследованы температурные зависимости состава внешних моноатомных слоев поверхности термоэмиттеров: оксидного, скандатного, торированного вольфрамового и карбидных катодов методами рассеяния ионов низких энергий, атомов отдачи, оже-спектроскопии и масс-спектроскопии вторичных ионов. Установлено, что поверхности оксидного, скандатного и вольфрам-ториевого катодов при рабочих температурах содержат моноатомную пленку активного материала (барий, торий), которая формируется на поверхности эмиттера при нагреве до рабочей температуры и растворяется в объеме при снижении температуры до комнатной. В результате активирования происходит накопление свободного бария в объеме кристаллов оксидов. Показано, что на поверхности карбида тантала имеется незначительное увеличение тантала и содержатся чужеродные электроотрицательные адатомы, (кислород, хлор, сера) не удаляемые при температурах 2500 К.

Об авторах

С. С. Волков

Рязанское гвардейское высшее воздушно-десантное ордена Суворова дважды Краснознаменное командное училище им. генерала армии В.Ф. Маргелова

Автор, ответственный за переписку.
Email: volkovstst@mail.ru
Россия, Рязань

Т. И. Китаева

АО “Завод цветных металлов и сплавов”

Email: kitaeva_46@mail.ru
Россия, Рязань

С. В. Николин

АО “Плазма”

Email: volkovstst@mail.ru
Россия, Рязань

Список литературы

  1. Черепин В.Т., Васильев М.А. Методы и приборы для анализа поверхностей материалов. Киев: Наукова думка, 1982. 399 с.
  2. Зигбан К., Нордлинг К., Фальман А., Нордберг Р., Хамрин К., Хедман Я., Йоханссон Г., Бергмарк Т., Карлссон С., Линдгрен И., Линдберг Б. Электронная спектроскопия. / Ред. Боровский И.: Мир, 1971. 493 с.
  3. Электронная и ионная спектроскопия твердых тел. / Ред. Раховский В.: Мир, 1981. 467 с.
  4. Протопопов О.Д., Полонский Б.А. // Обзоры по электронной технике. Сер. 7. Технология производство и оборудование. 1986. Вып. 9. С. 84.
  5. Волков С.С., Шевченко Н.П. Физико-аналитические методы диагностики элементного состава и структуры материалов. Рязань: РВАИ, 2008. 311 с.
  6. Герасименко Н.Н., Пархоменко Ю.Н. Кремний — материал наноэлектроники. М.: Техносфера, 2007. 352 с.
  7. Киселев А.Б. Металлооксидные катоды электронных приборов. М.: Изд-во МФТИ, 2002. 240 с.
  8. Технология СБИС. Книга 1. / Ред. Зи : Мир, 1986. 404 с.
  9. Щука А.А. Наноэлектроника. М.: Лаборатория знаний, 2019. 342 с.
  10. Черепин В.Т. Ионный зонд. Киев: Наукова думка, 1981. 321 с.
  11. Протопопов О.Д. // Обзоры по электронной технике. Сер. 7. Технология производство и оборудование. 1985. Вып. 10. С. 74.
  12. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / Ред. Бриггс Д., Сих М.: Мир, 1987. 600 с.
  13. Курнаев В.А., Машкова Е.С., Молчанов В.А. Отражение легких ионов от поверхности твердого тела. М.: Атомиздат, 1985. 192 с.
  14. Шуппе Г.Н. Вопросы электронных и ионных эмиссий (виды эмиссий). Учебное пособие. / Ред. Овсянникова Н.П. Рязань: РГРТА, 2006. 84 с.
  15. Binning G., Rohrer Y. // IBMJ. Res. Develop. 1986. V. 30. № 4. P. 355.
  16. Вольф Е.Л. Принципы электронной туннельной спектроскопии. Киев: Наукова думка, 1990. 454 с.
  17. Андронов А.Н., Пронина Н.А. Изучение структуры поверхности методом дифракции медленных электронов (ДМЭ): Учебное пособие. СПб.: Изд-во СПбГТУ, 1997. 45 с.
  18. Волков С.С., Денисов А.Г., Кратенко В.И., Сенькин И.Ф., Толстогузов А.Б., Протопопов О.Д., Шагимуратов Г.И. // Электронная промышленность. 1990. № 10. С. 13.
  19. Волков С.С., Гутенко В.Т., Дмитревский Ю.Е., Толстогузов А.Б., Трухин В.В. // Электронная промышленность. 1987. Вып. 5 (163). С. 42.
  20. Аристархова А.А., Волков С.С., Гутенко В.Т., Дмитревский Ю.Е., Карманов О.Н., Кратенко В.И., Ляпин В.М., Протопопов О.Д., Сергеев Н.Н. // Приборы и техн. экспер. 1993. № 1. С. 217.
  21. Аристархова А.А., Волков С.С., Тимашев М.Ю. // Приборы и техн. эксперим. 1994. № 2. С. 91.
  22. Aristarkchova A.A., Volkov S.S., Gutenko V.T., Dmitrevsky Yu.Ye., Karmanov O.N., Kratenko V.I., Lyapin V.M., Protopopov O.D., Sergeev N.N. // IET. 1993. V. 36. № 1. P. 158.
  23. 23 Аристархова А.А., Волков С.С., Дмитревский Ю.Е., Исаева Т.Н. // Поверхность. 1994. № 4. С. 66.
  24. Волков С.С., Денисов А.Г., Кратенко В.И., Сенькин И.Ф., Толстогузов А.Б., Протопопов О.Д., Шагимуратов Г.И. // Электронная промышленность. 1990. № 10. С. 13.
  25. Tolstogouzov A.B., Kitaeva T.I., Volkov S.S. // Microchimica Acta. 1994. V. 114/115. P. 505.
  26. Volkov S.S., Doroshina N.V., Sergachev A.A., Tolstogousov A.B., Fetisov S.A. // IET. 1993. V. 36. № 5. P. 793.
  27. Никонов Б.П. Оксидный катод. М.: Энергия, 1979. 240 с.
  28. Zalm P. // Adv. Termionic Electron Phys. 1968. V. 25. P. 211.
  29. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. Учебное руководство. / Ред. Гусев А.: Наука, 1978. 791 с.
  30. Блейкмор Дж. Физика твердого тела. / Ред. Андрианов Д.Г., Фистуль В.: Мир, 1988. 608 с.
  31. Никонов Б.П. // Известия АН СССР. Сер. физическая. 1971. Т. 35. Вып. 2. С. 270.
  32. Капустин В.И., Ли И.П. Теория, электронная структура и физикохимия материалов катодов СВЧ приборов. М.: ИНФРА-М, 2020. 370 с.
  33. Мойжес Б.Я. Физические процессы в оксидном катоде. М.: Наука, 1968. 480 с.
  34. Мак Лин Д. Границы зерен в металлах. М.: Металлургиздат, 1960. 322 с.
  35. Волков С.С., Толстогузов А.Б. // Обзоры по электронной технике. Сер. 7. Технология и организация пр-ва и оборудование. 1981. Вып. 15. С. 79.
  36. Haas G.A., Shih A., Thomas R.E. // Appl. Surf. Sci. 1979. V. 2. № 2. P. 293.
  37. Shih A., Haas G.A. // Appl. Surf. Sci. 1979. V. 2. № 2. P. 293.
  38. Кульварская Б.С. // Атомная энергия. 1966. Т. 21. Вып. 25. С. 368.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2024