Рост пленок Au+Ge на поверхности GaAs в процессе термического испарения золота в вакууме

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Проведены исследования морфологии и структуры пленок при осаждении Au+Ge на поверхность GaAs путем термического испарения в вакууме с целью создания контактов металл-полупроводник с пониженной высотой барьера. Установлено, что добавление германия в испаряемую навеску обеспечивает формирование слоя, легированного донорами, и предотвращает трансформацию GaAs в гексагональную структуру.

Об авторах

Т. А. Брянцева

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

пл. Введенского, 1, Фрязино, Московская область, 141190 Российская Федерация

В. Е. Любченко

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Email: lyubch@fireras.su
пл. Введенского, 1, Фрязино, Московская область, 141190 Российская Федерация

И. А. Марков

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

пл. Введенского, 1, Фрязино, Московская область, 141190 Российская Федерация

Ю. А. Тен

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

пл. Введенского, 1, Фрязино, Московская область, 141190 Российская Федерация

Список литературы

  1. Tung R.T. // Appl. Phys. Rev. 2014. V. 1. № 1. Article No. 011304.
  2. Брянцева Т.А., Любченко В.Е., Юневич Е.О. // РЭ 1995. Т. 40. № 8. C. 1306.
  3. Брянцева Т.А., Бобылев М.А., Лебедева З.М., Любченко Д.В. // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2012. Т. 78. № 4. С. 41.
  4. Брянцева Т.А., Лопатин В.В., Любченко В.Е. // ФТТ. 1988. Т. 30. № 3. C. 645.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2025