Оптические свойства нанометровых эпитаксиальных пленок оксида никеля на подложках Linbo3

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Методом магнетронного распыления созданы полупроводниковые структуры на основе оксида никеля, выращенного на подложках ниобата лития. Исследованы оптические свойства пленок NiO на подложках LiNbO3 в диапазоне длин волн 250…800 нм и выполнено моделирование спектров пропускания и отражения таких структур. Получена дисперсия комплексного показателя преломления выращенных пленок, которая обеспечивает хорошее совпадение расчетных и экспериментальных кривых пропускания и отражения. Эти исследования и расчеты позволили определить толщины выращенных эпитаксиальных пленок оптическими методами и сравнить их с результатами, полученными исходя из скорости роста пленок, и методами атомно-силовой микроскопии.

Об авторах

С. В. Аверин

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Email: sva278@ire216.msk.su
пл. Введенского, 1, Фрязино, Московская область, 141190 Российская Федерация

В. А. Лузанов

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Email: sva278@ire216.msk.su
пл. Введенского, 1, Фрязино, Московская область, 141190 Российская Федерация

В. А. Житов

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Email: sva278@ire216.msk.su
пл. Введенского, 1, Фрязино, Московская область, 141190 Российская Федерация

Л. Ю. Захаров

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Email: sva278@ire216.msk.su
пл. Введенского, 1, Фрязино, Московская область, 141190 Российская Федерация

В. М. Котов

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Автор, ответственный за переписку.
Email: sva278@ire216.msk.su
пл. Введенского, 1, Фрязино, Московская область, 141190 Российская Федерация

Список литературы

  1. Gupta R.K., Hendi A.A., Cavas M. et al. // Physica E. 2014. V. 56. P. 288.
  2. Hunashimarad Basavaraj G., Bath J.S., Raghavendra P.V., Bhajantri R.F. // Opt. Mater. 2022. V. 124. Article No. 111960.
  3. Steinebach H., Kannan S., Rieth L., Solzbacher F. // Sensors Actuators B: Chemical. 2010. V. 151. № 1. P. 162.
  4. Sato H., Minami T., Takata S., Yamada T. // Thin Solid Films. 1993. V. 236. № 1–2. P. 27.
  5. Lou X.C., Zhao X.J., He X. // Solar Energy. 2009. V. 83. № 12. P. 2103.
  6. Shinde V.R., Gujar T.P., Lokhande C.D. et al. // Mater. Chem. Phys. 2006. V. 96. № 2–3. P. 326.
  7. Park S.-W., Choi J.M., Kim E., Im S. // Appl. Surf. Sci. 2005.V. 244. № 1. P. 439.
  8. Ohta H., Hirano M., Nakahara K. et al. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. № 5. P. 1029.
  9. Manjunatha K.N., Paul Sh. // Appl. Surface Sci. 2015. V. 352. P. 10.
  10. Лузанов В.А. // РЭ. 2020. Т. 65. № 12. С. 1206.
  11. Аверин С.В., Лузанов В.А., Житов В.А. и др. // РЭ. 2024. Т. 69. № 9. С. 918.
  12. Choi J.-M., Im S. // Appl. Surface Sci. 2005. V. 244. P. 435.
  13. Ahmed A.A., Devarajan M., Afzal N. // Sensors and Actuators A: Physical. 2017. V. 262. P. 78.
  14. Lin D.Y., Chen W.L., Lin W.C., Shiu J.J., Han J. // Phys. Stat. Sol. С. 2006. V. 3. № 6. P. 1983.
  15. Surender S., Probakaran K., Pradeep S., et al. // Opt. Mater. 2023. V. 136. Article No. 113462.
  16. Аззам Р., Башара Н. Эллипсометрия и поляризованный свет. M.: Мир, 1981. С. 379.
  17. Zelmon D.E., Small D.L., Jundt D. // J. Opt. Soc. Amer. B. 1997. V. 14. № 12. P. 3319.
  18. Malitson I.H. // J. Opt. Soc. Amer. 1965. V. 55. № 10. P. 1205.
  19. Tripathi S.K., Gupta S., Mustafa F. I. et al. // J. Phys.D: Appl.Phys. 2009. V. 42. № 18. Article No. 185404.
  20. Ю П., Кардона М. Основы физики полупроводников. М.: Физматлит, 2002.
  21. Adachi S. Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors: Numerical Data and Graphical Information, N.Y.: Springer, 1999.
  22. Tauc J. // Mater. Res. Bull. 1968. V. 3. № 1. P. 37.
  23. Hadi A.A., Badr B.A., Mahdi R.O., Khashan K.S. Optic. Int. J. Light and Electron Optics. 2020. V. 219. Article No. 165019.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2025