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Shestovski, D. V.
| Edição | Seção | Título | Arquivo |
| Volume 54, Nº 4 (2025) | TECHNOLOGIES | Effect of rapid thermal annealing on the formation of aluminum-silicon and aluminum-polysilicon ohmic contacts in integrated microcircuits |
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Palavras-chave
Förster effect
bipolar transistor
diagnostics
etching
gas temperature
ionization
kinetics
magnetron sputtering
mechanism
memristor
modeling
molecular beam epitaxy
plasma
polymerization
powerful LDMOS
quantum dot
reduced electric field strength
resistive switching
silicon
silicon-on-insulator technology
specific power
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Volume 54, Nº 4 (2025)
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